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      张飞软?#37096;?#28304;基于STM32 BLDC直流无刷电机驱动器开发视频套件,??戳此立抢??

      利用CSPR I系统进行彩色表面等离子体共振成像的研究

      电子设计 ? 2018-11-01 08:04 ? 次阅读

      自Ash和Knoll等创立表面等离子体共振成像( Surface Plasmon Resonance Imaging, SPR I)技术以来, 使得生物分子点阵的无标记并行检测成为可能. 迄今为止, SPR I主要采用单波长激发光源, 检测到的是单色或黑白图像. 虽然利用多波长激发光源进行SPR I研究具?#34892;?#22810;优势(比如彩色图像鲜艳动人及信息含量高等) , 并在金属膜等研究中有所应用, 但在分子类样品中的研究应用的报道则很少, 原因可能在于没有商品仪器且彩色信号复杂、分析难度大等方面. 为了探索其中的问题,并促进SPR I新方法的建立和发展, 我们自主设计并建立了彩色表面等离子共振成像(Color SPR I,CSPR I)实验系统, 并结合利用自己编制的软件开展了相关研究, 成功地观测到溶液和蛋白点阵的彩色图像. 这些结果显示, CSPR I有可能成为生物分子微点阵(或生物芯片)的一种新型的彩色显示手段.

      1 实验部分

      1. 1 试剂与仪器

      巯基十一酸(Mercap toundecanoic acid, MUA)购自Aldrich公司(MIlwaukee, USA) ;氮2羟基琥珀酰亚胺(N 2Hydroxysuccinimide, NHS)购自Acros公司(New Jersey, USA) ; 氮2乙基2氮′2 (二?#35013;?#19993;基) 碳二亚胺[ N 2Ethyl2N′2 ( dimethyaminop ropyl) carbodiimide, EDC ]购自Avocado ResearchChemicals Ltd. (Lancashire, UK) ; 牛血清白蛋白(BSA)购自?#26412;?#25308;尔迪生物技术有限公司; 乙?#21450;貳?#26080;水乙?#25216;?#20854;它分析纯试剂均购自?#26412;?#21270;学试剂公司; 实验用水为3次蒸馏水; 金膜采用真空喷?#21697;?#22312;玻璃基底(折射率n = 11516)上镀制而成, 膜厚约50 nm.

      自行研制的CSPR I仪器的示意图见图1, 其中的光源是卤钨灯, 它所发出的复色光经过透镜?#25512;?#25391;片后, 扩展成一束平行偏振入射光; 核心分析单元由玻璃棱镜(折射率n = 11516) 、金膜和样品池组成, 整体固定在一个能精密调节入射光在棱镜底部的入射角度的旋转台上; 金膜通过香柏油( n =1151)粘接在棱镜底部, 镀金面朝向样品池, 金膜和样品池体之间用密封垫密封. 信号检测部分包括彩色CCD (WAT2231S,日本Watec公司) 、焦平面调节透镜和图像采集卡(OK_C30A, ?#26412;?#22025;恒中自图像技术有限公司). 图像由微机记录并显示.

      利用CSPR I系统进行彩色表面等离子体共振成像的研究

      SPR仪器: 波长询测SPR光谱仪也由本实验室设计构建.

      1. 2 实验过程

      成像实验基本操作: 当入射光从棱镜的一侧导入照射在棱镜底部的金膜背面时, 调节旋转平台, 使入射光满足反射条件以形成共振吸收; 将待测样品导入样品池, 进而微调入射光角度, 使所记录图像最清晰. 把检测到的图像信号储存,以待后续分析.

      样品测定: 将样品溶液直接注入到样品池中或使其流过金膜表面, 调节入射角, 实时记录图像.

      微点阵样品测定: 以BSA样品为例叙述. (1) 将BSA溶解在10 mmol/L的磷酸盐缓冲溶液(pH =714)中, 配制成015 mg/mL溶液; (2) 在金膜表面自组装一层MUA膜, 然后将其浸入NHS和EDC的混合液中, 使MUA末端的羧基活化; (3) 采用实验室自制的点样仪, 把BSA溶液直接点在经修饰后的金膜表面上, 由于BSA末端氨基与金膜表面活化的酯基发生氨基偶联?#20174;?#32780;形成键合微点阵;(4) 用盐酸乙?#21450;?#28342;?#33322;?#27873;传感膜, 以封闭微点阵周围背景处未发生偶联?#20174;?#30340;酯基; (5) 依次用磷酸盐缓冲溶液和水清?#21019;?#24863;膜表面, 除去非键合吸附的BSA和乙?#21450;? 最后用N2 气吹干, 将其安装在CSPR I仪上, 调节入射角, 实时记录图像.

      SPR吸收光谱测定: 把金膜安装在SPR光谱仪上, 调整入射角, 以空气谱作参比光谱, 将样品溶液泵入样品池, 实时记录SPR光谱.

      2 结果与讨论

      2. 1 溶液的表面等离子体共振吸收彩色

      利用CSPR I系统考察了一些纯溶液样品的彩色成像. 图2显示的是水和乙醇在不同入射光角下测得的图像色彩, 可见有非常明显的区别. 该信号提示, 利用CSPR I技术可以根据颜色的不同和变化, 对样品进行直观的鉴别.

      2. 2 彩色成像分析

      CSPR I图像的色彩?#20174;?#34920;面等离子体共振吸收, 对应于吸收波长的互补色 .

      利用CSPR I系统进行彩色表面等离子体共振成像的研究

      图3显示了乙醇和水的SPR共振波长随入射角的变化, 比较图2和图3可见, 随着样品的折射率和入射角的不同, 吸收波长会发生改变, 因而图像的颜色会发生相应的变化. 比如, 在入射角等于74. 86°时, 乙醇的吸收波长是658 nm, 故显深绿色, 而水的吸收波长为603 nm, 故显蓝色. 又如当入射角为77. 71°时, 乙醇和水的共振波长分别移至621 和583 nm, 其图像色彩也相应地变为绿蓝色和紫色.

      利用CSPR I系统进行彩色表面等离子体共振成像的研究

      2. 3 蛋白点阵的彩色成像

      通过溶液的彩色成像实验可见, CSPR I可被用于样品微点阵的彩色成像研究和显示. 为此, 以BSA为对象进行了研究, 结果如图4所示. 很明显, 样点与背景的颜色显著不同, 由此可以非常直观地判别出金膜上键?#31995;?#34507;白样点. 与水和乙醇的实验类似, BSA点阵的色彩随着入射角的改变而变化. 结果表明, CSPR I不仅可用于各种溶液的成像研究, ?#37096;?#29992;于样品点阵的直观鉴别研究. 如果结合分子识别探针阵列, 有可能将CSPR I开发成一种全新的彩色图像分析方法, 成为一种类似于DNA芯片的彩色分析新方法. ?#28304;?#26377;待深入研究.

      利用CSPR I系统进行彩色表面等离子体共振成像的研究

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      的头像 牵手一起梦 发表于 05-15 15:31 ? 206次 阅读
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      特斯拉自行研发FSD芯片 自信从何而来

      特斯拉研发的FSD芯片,是由两套完全一样的的独立系统组成,每个系统的处理器囊括12个A72内核,一个....
      的头像 特斯拉电动车 发表于 05-15 15:28 ? 427次 阅读
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      华为芯片的自给率已经?#24179;?0%!

      为?#24418;?#29298;多?#25345;荊医?#26085;月换新天!
      的头像 物联网解密 发表于 05-15 15:16 ? 693次 阅读
      华为芯片的自给率已经?#24179;?0%!

      盘点一下?#22771;?#24066;场?#31995;?#20027;要V2X芯片组/硬件的供应商

      博世最受?#38431;?#30340;V2X产品是混合连接控制单元(CCU),它将V2X功能与远程信息处理数据共享结合在一个....
      的头像 智车科技 发表于 05-15 15:00 ? 209次 阅读
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      CD4543译码芯片的优势特点及应用

      芯片CD4543 是一只具有锁存功能的7 段字形译码器,具有4 位二进制锁存。它的内部没有锁存单片,....
      的头像 牵手一起梦 发表于 05-15 14:50 ? 266次 阅读
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      郭台铭表明不再当董事长 接班人选3选1

      68岁的郭台铭4月曾告诉路透,为了给予年轻人才机会,他有意卸下董事长职务,而鸿海10?#23637;?#24067;新任董事名....
      的头像 CINNO 发表于 05-15 14:48 ? 568次 阅读
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      盘点中国?#29616;匾览?#36827;口的20项电子产品

      中国制造?#30340;壳?#24050;取得了举世瞩目的成就,从落后挨打,到现在巨龙腾飞,中国制造人付出了巨大心血和努力。
      的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-15 14:10 ? 586次 阅读
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      会不会就?#35828;?#19979;?——特斯拉的命运与挑战

      在制造Model3的过程中,特斯拉确实早早就遇到了挑战。马斯克在2017年8月曾信心满满地预计,到2....
      的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-15 11:33 ? 281次 阅读
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      同时挑战台积电与索尼,三星?#25139;耍?/a>

      2019年4月24日,三星电子公布了未来的投资计划和目标。三星电子的投资计划,将在未来12年内(19....
      的头像 章鹰 发表于 05-15 10:31 ? 1651次 阅读
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      GS92D2同步降压转换器芯片的数据手册免费下载

      GS92D2是一个同步降压转换器。特点包括输入电压?#27573;?#23485;,双通道精确OCP,内置线降补偿和保护后自动....
      发表于 05-15 08:00 ? 42次 阅读
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      请问芯片边?#31995;?#28938;屏?#25569;?#30340;怎么画?

      如图,菜鸟求助,这些芯片周围的屏?#25569;?#30340;焊点是怎么画...
      发表于 05-14 06:19 ? 25次 阅读
      请问芯片边?#31995;?#28938;屏?#25569;?#30340;怎么画?

      请问能推荐下5V转-5V的芯片,芯片输出电流最小100ma

      各位大神,有没有谁能推荐下5V转-5V的芯片,芯片输出电流最小100ma,好像我之前有用一款叫TPS60400,但是电流输出最大60ma,...
      发表于 05-13 00:26 ? 28次 阅读
      请问能推荐下5V转-5V的芯片,芯片输出电流最小100ma

      求一款针对音频的通道切换的芯片

      求一款针对音频通道切换的芯片,要求一进两出,可切换芯片,可以通过软件来实现输出通道选择。...
      发表于 05-10 14:57 ? 244次 阅读
      求一款针对音频的通道切换的芯片

      请问怎么建立芯片技术?

      芯片是怎么产生技术
      发表于 05-09 02:46 ? 63次 阅读
      请问怎么建立芯片技术?

      请问怎么建立芯片模型数据?

      如何建立芯片模型数据??
      发表于 05-08 07:56 ? 42次 阅读
      请问怎么建立芯片模型数据?

      各?#32531;茫?#35831;?#25910;?#20010;是什么芯片?表面?#22353;?#20026;ajdj795

      芯片表面?#22353;?#26159;ajdj795,大神们求告知,比较急...
      发表于 05-06 15:55 ? 245次 阅读
      各?#32531;茫?#35831;?#25910;?#20010;是什么芯片?表面?#22353;?#20026;ajdj795

      请问TPS3513和TPS3514两者有什么区别?

      TPS3513和TPS3514两者有什么区别?
      发表于 05-06 11:12 ? 138次 阅读
      请问TPS3513和TPS3514两者有什么区别?

      各位大神帮忙看下这个芯片怎?#32431;?#19968;引脚

      各位大神帮忙看下这个芯片一引脚怎?#32431;?/div>
      发表于 05-05 15:32 ? 251次 阅读
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      芯片的端口和引脚PA0..7和PB0..7之间的关系是什么

      芯片的端口和引脚PA0..7,PB0..7,..之间的关系 以上来自于谷歌翻译 以下为原文 relationship between the p...
      发表于 05-05 12:11 ? 175次 阅读
      芯片的端口和引脚PA0..7和PB0..7之间的关系是什么

      AD620供电芯片问题

      图中,中间的芯片是AD620,上下两块不知道是什么芯片,给我图的人说是7805、7905,但我?#20063;?#21040;有八引脚封装的,想请大佬们帮我看...
      发表于 05-03 14:05 ? 406次 阅读
      AD620供电芯片问题

      BAS16XV2 开关二极管

      信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 引线表面处理:100%哑光锡(锡) 合格回流温度:260°C 极小型SOD-523封装 适用于汽车?#25512;?#20182;应用的S?#30333;海?#38656;要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
      发表于 04-18 19:14 ? 0次 阅读
      BAS16XV2 开关二极管

      BAS16T 100 V开关二极管

      信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 ?#21830;?#20379;无铅封装* 电路图、引脚图和封装图
      发表于 04-18 19:14 ? 0次 阅读
      BAS16T 100 V开关二极管

      BAS16W 100 V开关二极管

      信息开关二极管设计用于超高速开关应用。该器件采用SC-70封装,专为低功耗表面贴装应用而设计。 ?#21830;?#20379;无铅封装 适用于汽车?#25512;?#20182;应用的S?#30333;海?#38656;要独特的?#38236;?#21644;控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
      发表于 04-18 19:14 ? 14次 阅读
      BAS16W 100 V开关二极管

      BAS16SL 小信号二极管

      信息小信号二极管 低正向压降 快速开关 非常小的薄型 最大剖面高度为0.43mm 尺寸为1.0 x 0.6mm
      发表于 04-18 19:14 ? 24次 阅读
      BAS16SL 小信号二极管

      BAS16P2 100 V开关二极管

      信息 BAS16P2T5G开关二极管是我们广受?#38431;?#30340;SOT-23三引线器件的衍生产品。它专为开关应用而设计,安装在SOD-923表面该封装非常适?#31995;?#21151;率表面贴装应用,其中电路板空间非常宝贵。 极小的SOD-923封装
      发表于 04-18 19:13 ? 18次 阅读
      BAS16P2 100 V开关二极管

      BAS16 (Legacy Fairchild)开关二极管,85 V 200 mA

      信息 SOT-23封装中的开关二极管。 高 - 速度切换应用
      发表于 04-18 19:13 ? 20次 阅读
      BAS16 (Legacy Fairchild)开关二极管,85 V 200 mA

      BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

      信息采用SOT-563封装的双开关二极管。 引脚表面处理:100%无光泽锡(锡) 合格回流焊温度:260°C 超小型SOD-523封装 适用于汽车?#25512;?#20182;应用的S?#30333;海?#38656;要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
      发表于 04-18 19:13 ? 24次 阅读
      BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

      BAS116T 75 V开关二极管

      信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SC-75表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 这些器件是无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准
      发表于 04-18 19:13 ? 26次 阅读
      BAS116T 75 V开关二极管

      BAS16H 100 V开关二极管

      信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 S汽?#23548;?#20854;他应用的?#30333;海?#38656;要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
      发表于 04-18 19:13 ? 28次 阅读
      BAS16H 100 V开关二极管

      BAS116L 75 V开关二极管

      信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 8 mm卷带和卷盘 - 使用BAS116LT1订购7英寸/ 3,000单位卷轴 Pb - 免费套餐。 汽车?#25512;?#20182;应用的S?#30333;海?#38656;要独特的?#38236;?#21644;控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
      发表于 04-18 19:13 ? 30次 阅读
      BAS116L 75 V开关二极管

      BAR43 肖特基二极管

      信息 BAR43 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
      发表于 04-18 19:13 ? 28次 阅读
      BAR43 肖特基二极管

      BAR43C 肖特基二极管

      信息 BAR43C 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
      发表于 04-18 19:13 ? 31次 阅读
      BAR43C 肖特基二极管

      BAR43S 肖特基二极管

      信息 BAR43S 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
      发表于 04-18 19:13 ? 38次 阅读
      BAR43S 肖特基二极管

      BAL99L 70 V开关二极管

      信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图
      发表于 04-18 19:13 ? 40次 阅读
      BAL99L 70 V开关二极管

      A5191HRT 工业HART协议调?#24179;?#35843;器

      信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调?#24179;?#35843;器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调?#24179;?#35843;器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引?#20598;?#23481;。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调?#24179;?#35843;器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...
      发表于 04-18 19:13 ? 26次 阅读
      A5191HRT 工业HART协议调?#24179;?#35843;器

      CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

      信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任?#26410;?#34892;通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(?#26469;?#30721;)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度?#27573;?自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
      发表于 04-18 19:13 ? 30次 阅读
      CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

      CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

      信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任?#26410;?#34892;通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(?#26469;?#30721;)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压?#27573;? SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度?#27573;? 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
      发表于 04-18 19:13 ? 30次 阅读
      CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

      CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

      信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任?#26410;?#34892;通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压?#27573;? SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度?#27573;? PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
      发表于 04-18 19:13 ? 30次 阅读
      CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

      CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

      信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任?#26410;?#34892;通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压?#27573;? SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度?#27573;?符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
      发表于 04-18 19:13 ? 34次 阅读
      CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

      MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

      信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V ?#37096;?#20197;重新连接AC耦?#40092;?#20837;。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。?#27425;?#24341;脚是异步的,并在上升沿置位。?#31995;?#26102;,内部触发器将达到随机状态;?#27425;輝市?#22312;系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播?#26144;?最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作?#27573;В篤 = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作?#27573;В篤 = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...
      发表于 04-18 19:13 ? 22次 阅读
      MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器
      上海快3开奖走势图
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