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      IC Insights:預測2018年中國Pure-Play代工市場增長90%

      漁翁先生 ? 2018-09-28 09:54 ? 次閱讀

      通過加密貨幣設備的驅動需求,臺積電今年的中國銷售額預計將增長79%。
      ?
      根據IC Insights九月“McClean Report”的更新數據顯示,由于今年中國純晶圓代工市場預計增長51%(圖1),中國2018年純晶圓代工市場的總份額預計會增加增加了5個百分點至19%,超過了亞太地區其他地區的份額。總體而言,預計2018年中國整個純晶圓代工市場將增加42億美元中的90%。

      隨著近期中國無生產線IC公司的崛起,該國對代工服務的需求也在增加。總體而言,去年中國的純晶圓代工銷售額增長了26%,達到75億美元,幾乎是整個純晶圓代工市場增長9%的三倍。此外,在2018年,預計對中國的純晶圓代工銷售額將激增51%,超過今年純晶圓代工市場預期增長8%的6倍。
      ?
      雖然預計所有主要的純手工鑄造廠今年都將在中國實現兩位數的銷售增長,但預計迄今為止增幅最大的是純粹的代工廠商臺積電。繼2017年增長44%之后,臺積電對中國的銷售額預計將在2018年再增加79%至67億美元。因此,預計中國將主要負責今年臺積電的所有銷售增長,中國在該公司銷售額中的份額從2016年的9%增加到2018年的19%。
      ?
      如圖2所示,臺積電在中國的大部分銷售額在過去一年都有所增長,其中2017年第2季度的銷售額幾乎是2017年第3季度的兩倍。該公司近期對中國的銷售激增很大程度上是由于定制設備進入加密貨幣市場的需求增加所致。事實證明,許多大型加密貨幣無廠設計公司都設在中國,其中大部分已經轉向臺積電為這些應用生產先進的芯片。值得注意的是,臺積電將其加密貨幣業務作為其高性能計算領域的一部分。

      雖然臺積電過去一年的加密貨幣業務銷售額大幅上升,但該公司已表示預計今年下半年該業務將出現放緩。似乎對加密貨幣設備的需求高度依賴于各種加密貨幣的價格(其中最受歡迎的是比特幣)。因此,最近比特幣的價格暴跌(從今年1月份的每比特幣超過15,000美元到9月份的不到7萬美元),以及其他加密貨幣,正在降低對這些IC的需求。此外,由于臺積電從一開始就意識到加密貨幣市場將會波動,公司沒有根據最近強大的加密貨幣需求調整其容量計劃,也沒有將加密貨幣業務假設納入其對未來長期增長的預測中。

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      LTC3577-3 高集成度便攜式產品 PMIC

      LT3080 可調 1.1A、單電阻、低壓差穩壓器

      和特點 輸出可并聯以實現較高電流和散布熱量 輸出電流:1.1A 利用單個電阻來設置輸出電壓 SET 引腳電流的初始準確度為 1% 輸出可調至 0V 低輸出噪聲:40μVRMS (10Hz 至 100kHz) 寬輸入電壓范圍:1.2V 至 36V 低壓差:350mV (SOT-223 除外) < 1mV 負載調節 < 0.001%/V 電壓調節 最小負載電流:0.5mA 采用 2.2μF (最小值) 陶瓷輸出電容器可穩定 折返電流限制和過熱保護功能 采用 8 引腳 MSOP、3mm x 3mm DFN、5 引腳 DD-Pak、TO-220 和 3 引腳 SOT-223 封裝 產品詳情 LT?3080 是一款 1.1A 低壓差線性穩壓器,可直接并聯以增加輸出電流或在表面貼裝型電路板上散播熱量。該新型穩壓器被設計為一款精準電流源和電壓跟隨器,因而可在許多需要高電流、可調至零且無散熱器的應用中使用。而且,該器件還引出了傳輸晶體管的集電極,以在與多個輸入電源一起使用時實現低壓差操作 (低至 350mV)。LT3080 的一個重要的特點是能夠提供一個寬輸出電壓范圍。利用流經單個電阻器的基準電流,可以把輸出電壓設置為 0V 至 36V 之間的任何電平。當在輸出端上使用 2.2μF 電容時,LT3080 可實現穩定,而且該 IC 采用了無需額外 ES...
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      LT3080 可調 1.1A、單電阻、低壓差穩壓器

      ADF7021 高性能窄帶ISM收發器IC

      和特點 低功耗、高性能、窄帶收發器 頻段:80-650MHz和862-940MHz 調制方式:2FSK、3FSK、4FSK 頻譜整形方式:高斯和升余弦濾波 自動PA斜坡 支持的數據速率:0.05 kbps至25 kbps 可編程輸出功率:-16dBm至+13dBm 低中頻架構,可編程中頻帶寬:12.5/18.5/25kHz 2.3V至3.6V電源供電 接收機靈敏度:-123dBm (1kbps FSK) 全自動頻率控制環路(AFC)補償容差較低的晶振 高精度數字RSSI和集成Tx/Rx開關產品詳情 ADF7021是一款低功耗、高度集成的2FSK/3FSK/4FSK收發器。該器件可在窄帶、免執照ISM頻段以及80 MHz至650 MHz和862 MHz至940 MHz頻率范圍的特許執照頻段內工作。該器件具有高斯和升余弦兩種數據濾波選項,用以改善窄帶應用的頻譜效率。它適合符合以下標準或法規的電路應用:歐洲ETSI EN 300-220標準、日本ARIB-T67標準、中國近程設備管理法規以及北美FCC Part 15、Part 90和Part 95監管標準。ADF7021只需少量外部分立器件便可構建一個完整的收發器,因此非常適合對價格和電路板面積敏感的應用。發射部分包含一個電壓控制振蕩器(VCO)和一個輸出分辨率<1 ppm的低噪聲小數N分頻PL...
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      ADF7021 高性能窄帶ISM收發器IC

      HMC1105 GaAs MMIC x2無源倍頻器,20 - 40 GHz輸入

      和特點 無源: 無需直流偏置 轉換損耗: 12 dBm Fo隔離: 41 dB 3Fo隔離: 46 dB 裸片尺寸: 1.79 x 1.19 x 0.1 mm 產品詳情 HMC1105是一款無源微型倍頻器MMIC。 相對于輸入信號電平,無用基波和高階諧波抑制高達46 dB(典型值)。 該倍頻器采用與Hittite MMIC混頻器中相同的GaAs Schottky二極管/巴倫技術。 它尺寸小,無需直流偏置,且無需在倍增信號上增加可衡量的加性相位噪聲。 應用 點對點和VSAT無線電 ? V段通信 ? 測試儀器儀表 雷達 空間方框圖...
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      HMC1105 GaAs MMIC x2無源倍頻器,20 - 40 GHz輸入

      HMC1063 GaAs MMIC I/Q混頻器,24 - 28 GHz

      和特點 低LO功率: 10 dBm 寬IF帶寬: DC - 3 GHz 鏡像抑制: 21 dBc LO/RF隔離: 40 dB 高輸入IP3: 17 dBm 16引腳3x3 mm SMT封裝: 9 mm2 產品詳情 HMC1063LP3E是一款緊湊型I/Q MMIC混頻器,采用“無鉛”SMT封裝,可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。 該混頻器采用兩個標準Hittite雙平衡混頻器單元和一個90度混合器件,均采用GaAs Schottky二極管工藝制造。 低頻正交混合器件用于產生1,000 MHz LSB IF輸出。 該產品為混合型鏡像抑制混頻器和單邊帶上變頻器組件的小型替代器件。 HMC1063LP3E無需線焊,可以使用表貼制造技術。 應用 點對點和點對多點無線電 軍用雷達、EW和ELINT 衛星通信 傳感器方框圖...
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      HMC1063 GaAs MMIC I/Q混頻器,24 - 28 GHz

      HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位數字衰減器,0.1 - 33 GHz

      和特點 衰減范圍:1 dB LSB步進至31 dB 插入損耗:典型值6 dB(33 GHz) 衰減精度:±0.5 dB(典型值) 輸入線性度o0.1 dB壓縮(P0.1dB):24 dBm(典型值)o三階交調點(IP3):40 dBm(典型值) 功率處理:27 dBm 雙電源供電:±5 V CMOS/TTL兼容并行控制 24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝HMC939ATCPZ-EP支持防務和航空航天應用(AQEC標準) 下載HMC939ATCPZ-EP數據手冊(pdf) 軍用溫度范圍:-55°C至+125°C 受控制造基線 唯一封裝/測試廠 唯一制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 產品詳情 HMC939ALP4E是一款5位數字衰減器,以1 dB步長提供31 dB的衰減控制范圍。HMC939ALP4E在100 MHz至33 GHz的指定頻率范圍內提供最佳的插入損耗、衰減精度和輸入線性度。HMC939ALP4E需要VDD = +5 V和VSS = ?5 V雙電源電壓供電,通過集成片內驅動器提供CMOS/TTL兼容并行控制接口。該器件采用符合RoHS標準的緊湊型4 mm × 4 mm LFCSP封裝。有關HMC939ALP4E的裸片版本,請參見HMC939A-DIE。應用 測試儀器儀表 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT) 軍...
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      HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位數字衰減器,0.1 - 33 GHz

      HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器

      和特點 低噪聲指數:2 dB(典型值) 高增益:25.0 dB(典型值) P1dB 輸出功率:13.5 dBm,24 GHz 至 40 GHz 高輸出 IP3:25.5 dBm(典型值) 裸片尺寸:1.309 mm × 1.48 × 0.102 mm 產品詳情 HMC1040CHIPS 是一款砷化鎵 (GaAs)、贗晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、微波單片集成電路 (MMIC) 低噪聲寬帶放大器,工作范圍為 20 GHz 至 44 GHz。HMC1040CHIPS 具有自偏置功能,并提供 25.0 dB 的典型增益、2 dB 的典型噪聲指數和 25.5 dBm 的典型輸出三階交調點 (IP3),只需要 65 mA 電流,2.5 V 電源電壓。15.5 dBm 的典型飽和輸出功率 (PSAT) 可以使低噪聲放大器 (LNA) 用作 Analog Devices, Inc. 眾多平衡式同樣正交 (I/Q) 或鏡頻抑制混頻器的本地振蕩器 (LO) 驅動器。HMC1040CHIPS 還具有可在內部匹配至 50 Ω 的輸入和輸出,使其適用于基于表面安裝技術 (SMT) 的高容量微波無線電應用。應用 軟件定義無線電 電子戰 雷達應用 衛星通信 電子戰 儀器儀表 電信 方框圖...
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      HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器

      HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器芯片,18 - 32 GHz

      和特點 噪聲系數: 2.8 dB 增益: 15 dB OIP3: 23 dBm 單電源: +3V (65 mA) 50 Ω匹配輸入/輸出 裸片尺寸: 2.27 x 1.32 x 0.1 mm 產品詳情 HMC519是一款高動態范圍GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器芯片,工作頻率范圍為18至32 GHz。 HMC519提供15 dB小信號增益、2.8 dB噪聲系數及高于23 dBm的輸出IP3。 由于尺寸較小,該芯片可輕松集成到混合組件或多芯片模塊(MCM)中。 所有數據均采用50 ohm測試夾具中的芯片測得,該夾具通過直徑為0.075 mm (3 mil)、最小長度0.31 mm (12 mil)的焊線連接。 也可用兩根直徑為0.025mm (1 mil)的焊線進行RFIN和RFOUT連接。 應用 點對點無線電 點對多點無線電和VSAT 測試設備和傳感器 軍事和太空 方框圖...
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      HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器芯片,18 - 32 GHz

      HMC902-DIE 5 GHz至11 GHz GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器

      和特點 噪聲系數:小信號增益:1.6 dB(典型值)20 dB(典型值) P1dB輸出功率:16 dBm(典型值) 電源電壓:3.5 V(80 mA,典型值) 輸出IP3:28 dBm(典型值) 50 Ω匹配輸入/輸出 通過可選偏置控制實現自偏置,在不施加射頻(RF)的情況下降低靜態漏極電流(IDQ) 裸片尺寸:1.33 mm × 1.04 mm × 0.102 mm 產品詳情 HMC902-裸片是一款砷化鎵(GaAs)、假晶(pHEMT)單芯片微波集成電路(MMIC)、低噪聲放大器(LNA),通過可選偏置控制實現自偏置,以降低IDQ。HMC902-裸片的工作頻率范圍為5 GHz至11 GHz。該LNA提供20 dB的小信號增益、1.6 dB的噪聲系數、28 dBm的輸出IP3,采用3.5 V電源時功耗僅為80 mA。16 dBm的P1dB輸出功率使LNA可用作許多平衡、I/Q或鏡像抑制混頻器的本振(LO)驅動器。HMC902-裸片還具有匹配至50 Ω的輸入/輸出以便輕松集成到多芯片模塊(MCM)。所有數據均利用50 Ω測試夾具中的HMC902-裸片獲取,通過長度為0.31 mm (12 mil)、直徑0.025 mm (1 mil)的兩條線焊連接。應用 點對點無線電 點對多點無線電 軍事與航天 測試儀器儀表 工業科研和醫療(ISM)無線電頻段 免執照國家信息基礎設...
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      HMC902-DIE 5 GHz至11 GHz GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器

      HMC190B GaAs MMIC SPDT開關SMT,DC - 3 GHz

      和特點 低插入損耗: 0.4dB 小型封裝: MSOP8 高輸入IP3: +50 dBm 正控制電壓: 0/+3V (0.1 uA) 產品詳情 HMC190BMS8(E)是一款低成本SPDT開關,采用8引腳MSOP封裝。 該開關可控制DC至3 GHz范圍的信號。 它尤其適合采用正控制電壓的中低功耗應用。 這兩個控制電壓所需的直流電流非常小,極其適合0.9、1.9和2.4 GHz頻率范圍的電池供電無線電系統。 HMC190BMS8(E)提供出色的、+56 dBm第三階交調性能。 該設計針對小型MSOP封裝進行了優化,保持優于1.2:1至2 GHz的VSWR性能。 該器件為HMC239AS8(E)負控制器件的正控制MSOP8封裝版本。應用 MMDS和無線局域網 便攜式無線系統方框圖...
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      HMC190B GaAs MMIC SPDT開關SMT,DC - 3 GHz

      HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式開關,DC - 2.5 GHz

      和特點 低插入損耗(2 GHz):1.1dB 單正電源:Vdd = +5V 集成式3:8 TTL解碼器 24引腳QSOP封裝 產品詳情 HMC253AQS24和HMC253AQS24E均為低成本非反射SP8T開關,采用24引腳QSOP封裝,寬帶工作頻率范圍為DC至2.5 GHz。該開關提供單正偏置和真TTL/CMOS兼容性。該開關上集成了3:8解碼器,僅需三個控制線和一個正偏置即可選擇每個路徑。HMC253AQS24和HMC253AQS24E SP8T將替代SP4T和SPDT MMIC開關的多種配置。應用 CATV/DBS CDMA 蜂窩/PCS 方框圖...
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      HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式開關,DC - 2.5 GHz

      HMC245A GaAs MMIC SP3T非反射式開關,DC - 3.5 GHz

      和特點 低插入損耗: 0.7 dB (2.0 GHz) 非反射式設計 集成式2:3 TTL解碼器 “全部關斷”隔離狀態 單正電源: Vdd = +5V 16引腳QSOP SMT封裝產品詳情 HMC245AQS16和HMC245AQS16E均為低成本反射式SP3T開關,采用16引腳QSOP表貼封裝。 該開關頻率范圍為DC至3.5 GHz,提供30至40 dB隔離和0.7 dB的低插入損耗。 該開關上集成了2:3 TTL/CMOS兼容解碼器,僅需兩條控制線和單個+5V偏置即可選擇每個路徑,從而可取代GaAs SP3T開關通常所需的6條控制線。 應用 基站基礎設施? CATV / DBS? 無線本地環路? 測試設備方框圖...
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      HMC245A GaAs MMIC SP3T非反射式開關,DC - 3.5 GHz

      HMC1084 GaAs MMIC SP4T反射開關,23 - 30 GHz

      和特點 寬帶性能: 23 - 30 GHz 高隔離度: 26 dB 插入損耗: 2.8 dB 高功耗處理: >27 dBm 24引腳4x4mm SMT封裝: 16mm 產品詳情 HMC1084是一款寬帶反射GaAs MESFET SP4T開關,采用緊湊型4x4 mm陶瓷封裝。 該開關頻率范圍為23 - 30 GHz,具有高隔離度和低插入損耗。 HMC1084由0/-3V邏輯控制,具有快速開關速度,且直流功耗比基于pin二極管的解決方案小。 HMC1084采用緊湊型外形尺寸,非常適合微波無線電、SATCOM以及傳感器應用。 HMC1084采用無鉛4x4 mm SMT封裝,兼容表面貼裝制造技術。 應用 電信基礎設施 微波無線電和VSAT 軍事和太空混合器件 測試儀器儀表 SATCOM和傳感器 方框圖...
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      HMC1084 GaAs MMIC SP4T反射開關,23 - 30 GHz

      HMC647A GaAs MMIC 6位數字移相器,2.5-3.1 GHz

      和特點 低RMS相位誤差: 1.5° 低插入損耗: 4 dB 高線性度: +50 dBm 正控制邏輯 360°覆蓋,LSB = 5.625° 28引腳QFN無引腳SMT封裝: 36mm2產品詳情 HMC647ALP6E是一款6位數字移相器,額定頻率范圍為2.5至3.1 GHz,提供360度相位覆蓋,LSB為5.625度。 HMC647ALP6E在所有相態具有1.5度的極低RMS相位誤差及±0.4 dB的極低插入損耗變化。 此款高精度移相器通過0/+5V的正控制邏輯控制。HMC647ALP6E采用緊湊型6x6 mm塑料無引腳SMT封裝,內部匹配50 Ohms,無需任何外部元件。 應用 EW接收器 氣象和軍用雷達 衛星通信 波束成形模塊 相位抵消 方框圖...
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      HMC647A GaAs MMIC 6位數字移相器,2.5-3.1 GHz

      ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上變頻器

      和特點 RF輸出頻率范圍:17 GHz至24 GHz IF輸入頻率范圍:2 GHz至4 GHz LO輸入頻率范圍:8GHz至12 GHz,集成2×乘法器 邊帶抑制:32 dB(下邊帶) P1dB:25 dBm 增益調節:30 dB 輸出IP3:33 dBm 匹配50 ? RF輸出、LO輸入和IF輸入 32引腳、4.9 mm × 4.9 mm LCC封裝 產品詳情 ADMV1011是一款采用緊湊的砷化鎵(GaAs)設計、單芯片微波集成電路(MMIC)、雙邊帶(DSB)上變頻器,采用符合RoHS標準的封裝,針對工作頻率范圍為17 GHz至24 GHz的點對點微波無線電設計進行優化。ADMV1011提供21 dB的轉換增益,具有針對下邊帶和上邊帶的32 dBc和23 dBc邊帶抑制性能。ADMV1011采用射頻(RF)放大器,前接由驅動放大器驅動集成2×乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)雙平衡混頻器。還提供IF1和IF2混頻器輸入,需通過外部90°混合選擇所需的邊帶。I/Q混頻器拓撲結構則降低了干擾邊帶的濾波要求。ADMV1011為混合型DSB上變頻器的小型替代器件,它無需線焊,可以使用表貼制造裝配。ADMV1011上變頻器采用緊湊的散熱增強型、4.9 mm × 4.9 mm LCC封裝。ADMV1011工作溫度范圍為?40°C至+85°...
      發表于 02-22 12:06 ? 20次 閱讀
      ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上變頻器

      ADM691A 微處理器電源監控器,內置備用電池切換、可調復位周期與可調看門狗周期、芯片使能信號、看門狗、備用電池功能和4.65V閾值電壓、低VCC狀態輸出、250MA輸出電流特性

      和特點 低功耗 精密電壓監控器 ADM800L/M容差:±2% 復位時間延遲:200 ms或可調 待機電流:1 μA 備用電池電源自動切換 芯片使能信號快速片內選通 同時提供TSSOP封裝(ADM691A)產品詳情 ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M系列監控電路均為完整的單芯片解決方案,可實現微處理器系統中的電源監控和電池控制功能。這些功能包括微處理器復位、備用電池切換、看門狗定時器、CMOS RAM寫保護和電源故障警告。該系列產品是MAX691A/93A/800M系列的升級產品。所有器件均提供16引腳DIP和SO封裝。ADM691A同時提供節省空間的TSSOP封裝。主要提供下列功能:啟動、關斷和掉電情況下的上電復位輸出。即使VCC低至1 V,電路仍然可以工作。CMOS RAM、CMOS微處理器或其它低功耗邏輯的備用電池切換。如果可選的看門狗定時器在指定時間內未切換,則提供復位脈沖。1.25 V閾值檢波器,用于電源故障警告、低電池電量檢測或+5 V以外電源的監控。 方框圖...
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      ADM691A 微處理器電源監控器,內置備用電池切換、可調復位周期與可調看門狗周期、芯片使能信號、看門狗、備用電池功能和4.65V閾值電壓、低VCC狀態輸出、250MA輸出電流特性

      ADF7023 高性能、低功耗ISM頻段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收發器IC

      和特點 超低功耗、高性能收發器 工作頻段862 MHz至928 MHz431 MHz至464 MHz 支持的數據速率:1 kbps至300 kbps 電源電壓范圍:2.2 V至3.6 V 單端和差分PA 中頻帶寬可編程的低中頻接收機:100 kHz、150 kHz、200 kHz、300 kHz 接收機靈敏度(BER)?116 dBm(1.0 kbps,2FSK、GFSK)?107.5 dBm(38.4 kbps,2FSK、GFSK)?102.5 dBm(150 kbps,GFSK、GMSK)?100 dBm(300 kbps,GFSK、GMS)?104 dBm(19.2 kbps,OOK) 極低功耗 RF輸出功率范圍:?20 dBm至+13.5 dBm(單端PA) 欲了解更多特性,請參考數據手冊產品詳情 ADF7023是一款工作在862 MHz至931 MHz和431 MHz至464 MHz頻段的極低功耗、高集成度2FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收發器,這些頻段覆蓋免許可的433MHz、868MHz和915MHz ISM頻段。它適合歐洲ETSI EN300-220、北美FCC (Part 15)、中國短程無線監管標準或其它類似地區標準下的電路應用。支持1 kbps至300 kbps的數據速率。發射RF頻率合成器包含一個VCO和一個輸出通道頻率分辨率為400 Hz的低噪聲小數N分頻鎖相環(PLL)。VCO的工作頻...
      發表于 02-22 12:06 ? 28次 閱讀
      ADF7023 高性能、低功耗ISM頻段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收發器IC

      LTC3862-1 多相電流模式升壓型 DC/DC 控制器

      和特點 寬 VIN 范圍:8.5V 至 36V 運作 兩相操作減小了輸入和輸出電容 固定頻率、峰值電流模式控制 用于高電壓 MOSFET 的 10V 柵極驅動 可調斜坡補償增益 可調最大占空比 (高達 96%) 可調前沿消隱±1% 內部電壓基準可利用一個外部電阻器來設置工作頻率 (75kHz 至 500kHz)可鎖相固定頻率:50kHz 至 650kHz用于兩相、3 相、4 相、6 相或 12 相操作的 SYNC 輸入和 CLKOUT (可利用 PHASEMODE 引腳來設置)內部 10V LDO 穩壓器24 引腳窄體 SSOP 封裝具 0.65mm 引腳間距的 5mm x 5mm QFN 封裝24 引腳耐熱性能增強型 TSSOP 封裝 產品詳情 LTC?3862-1 是一款兩相、恒定頻率、電流模式升壓和 SEPIC 型控制器,用于驅動 N溝道功率 MOSFET。兩相操作降低了系統濾波電容和電感要求。工作頻率可利用一個外部電阻器設定在 75kHz 至 500kHz 的范圍內,并可采用內部 PLL 而被同步至一個外部時鐘。采用 SYNC 輸入、CLKOUT 輸出和 PHASEMODE 控制引腳可實現多相操作,從而允許執行兩相、3 相、4 相、6 相或 12 相操作。其他特點包括一個內部 10V LDO (具有用于柵極驅動器的欠壓閉鎖保護功能...
      發表于 02-22 12:05 ? 12次 閱讀
      LTC3862-1 多相電流模式升壓型 DC/DC 控制器

      LTC3355 具集成型 SCAP 充電器和后備穩壓器的 20V 1A 降壓型 DC/DC 系統 IC

      和特點 VIN 電壓范圍:3V 至 20VVOUT 電壓范圍:2.7V 至 5V1A 電流模式降壓主穩壓器采用單個超級電容器向 5A 升壓型后備穩壓器供電升壓型穩壓器可在低至 0.5V 的電壓條件下運作,以最大限度地利用超級電容器的儲能可編程超級電容器充電電流至 1A,并具過壓保護功能充電器可支持單節 CC/CV 電池充電可編程 VIN 電流限值可編程升壓電流限值VIN 電源故障指示器VCAP 電源良好指示器VOUT 上電復位輸出緊湊型 20 引腳 4mm x 4mm QFN 封裝 產品詳情 LTC?3355 是一款完整的輸入電源中斷凌駕 DC/DC 系統。該器件可在向 VOUT 輸送負載電流的同時給一個超級電容器充電,并在 VIN 電源缺失的情況下使用來自超級電容器的能量以提供連續的 VOUT 后備電源。LTC3355 包含一個異步、恒定頻率、電流模式、單片 1A 降壓型開關穩壓器,以采用一個高達 20V 的輸入電源來提供 2.7V 至 5V 的穩定輸出電壓。一個 1A 可編程恒定電流 / 恒定電壓 (CC/CV) 線性充電器負責從 VOUT 給超級電容器充電。當 VIN 電源降至低于 PFI 門限時,該器件的恒定頻率、異步、電流模式 5A 升壓型開關穩壓器將從超級電容器向 VOUT ...
      發表于 02-22 12:04 ? 38次 閱讀
      LTC3355 具集成型 SCAP 充電器和后備穩壓器的 20V 1A 降壓型 DC/DC 系統 IC

      ADE5169 單相電能計量IC,集成8052 MCU、RTC和LCD驅動器

      和特點 寬電源電壓范圍:2.4 V至3.7 V 調節輸入與電池輸入之間內置雙極性開關 超低功耗的省電模式(PSM) 全速運轉: 4.4 mA至1.6 mA(取決于PLL時鐘) 電池模式:3.3 mA至400 μA(取決于PLL時鐘) 休眠模式:實時時鐘(RTC)模式:1.7 μARTC和LCD模式:38 μA(LCD電荷泵使能) 基準電壓:1.2 V ± 0.1%(10 ppm/°C漂移) 64引腳薄型四方扁平封裝(LQFP),符合RoHS標準 見數據表的附加功能 產品詳情 ADE5166/ADE5169/ADE5566/ADE55691將ADI公司電能(ADE)計量IC模擬前端和固定功能DSP解決方案與增強型8052 MCU內核、完整RTC、LCD驅動器和所有外設集成為一體,提供一種帶液晶顯示屏的電表。ADE測量內核包括有功、無功和視在功率計算以及電壓和電流均方根值測量。利用內置的電能標量可以訪問這些信息,以便進行計費。電能計量DSP包括許多電力線路監控功能(如SAG、峰值和零交越等),可簡化電表設計。微處理器功能包括單周期8052內核、帶備用電源引腳的完整RTC、SPI或I2C?接口以及2個獨立的UART接口。ADE內核提供直接可用的信息,降低了對程序...
      發表于 02-22 12:01 ? 27次 閱讀
      ADE5169 單相電能計量IC,集成8052 MCU、RTC和LCD驅動器

      FinFET(鰭型MOSFET)簡介

      1、半導體的工藝尺寸 在我們談到半導體工藝尺寸的時候,通常對于下面的一串數字耳熟能詳:3um、2um、1.5um、1um、0.8um、0.5um、...
      發表于 01-06 14:46 ? 3581次 閱讀
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      論工藝制程,Intel VS臺積電誰會贏?

        SRAM,即靜態隨機存取存儲器,比我們常見的DRAM(動態隨機存取存儲器)更快,常用于CPU緩存等,也是研發測試新...
      發表于 01-25 09:38 ? 6870次 閱讀
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      分析師對IC市場前景預測不同 但都看好中國

        對于2016年半導體產業營收預測以及市場的長期動力,各家分析師有非常不同的看法;他們在一場于美國舉行的晶片業高層年度聚會...
      發表于 01-14 14:51 ? 2267次 閱讀
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      各類常用工藝庫臺積電,中芯國際,華潤上華

      各類常用工藝庫臺積電,中芯國際,華潤上華 ...
      發表于 12-17 19:52 ? 9018次 閱讀
      各類常用工藝庫臺積電,中芯國際,華潤上華

      [轉]臺積電借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特爾蘋果

      轉自http://www.eet-china.com/ART_8800697889_480201_NT_08124b24.HTM 臺積電借16nm FinFET Plus及InFO WL...
      發表于 05-07 15:30 ? 2594次 閱讀
      [轉]臺積電借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特爾蘋果
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