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      张飞软硬开源基于STM32 BLDC直流无刷电机驱动器开发视频套件,??戳此立抢??

      IC Insights:预测2018年中国Pure-Play代工市场增长90%

      渔翁先生 ? 2018-09-28 09:54 ? 次阅读

      通过加密货币设备的驱动需求,台积电今年的中国销售额预计将增长79%。
      ?
      根据IC Insights九月“McClean Report”的更新数据显示,由于今年中国纯晶圆代工市场预计增长51%(图1),中国2018年纯晶圆代工市场的总份额预计会增加增加了5个百分点至19%,超过了亚太地区其他地区的份额。总体而言,预计2018年中国整个纯晶圆代工市场将增加42亿美元中的90%。

      随着近期中国无生产线IC公司的崛起,该国对代工服务的需求也在增加。总体而言,去年中国的纯晶圆代工销售额增长了26%,达到75亿美元,几乎是整个纯晶圆代工市场增长9%的三倍。此外,在2018年,预计对中国的纯晶圆代工销售额将激增51%,超过今年纯晶圆代工市场预期增长8%的6倍。
      ?
      虽然预计所有主要的纯手工铸造厂今年都将在中国实?#33267;?#20301;数的销售增长,但预计迄今为止增幅最大的是纯粹的代工厂商台积电。继2017年增长44%之后,台积电对中国的销售额预计将在2018年再增加79%至67亿美元。因此,预计中国将主要负责今年台积电的所有销售增长,中国在该公司销售额中的份额从2016年的9%增加到2018年的19%。
      ?
      如图2所示,台积电在中国的大部分销售额在过去一年?#21152;?#25152;增长,其中2017年第2季度的销售额几乎是2017年第3季度的两倍。该公司近期对中国的销售激增很大程度上是由于定制设备进入加密货币市场的需求增加所致。事实证明,许多大型加密货币无厂设计公司都设在中国,其中大部分已经转向台积电为这些应用生产先进的芯片。值得注意的是,台积电将其加密货币业务作为其高性能计算领域的一部分。

      虽然台积电过去一年的加密货币业务销售额大幅上升,但该公司已表示预计今年下半年该业务将出现放缓。似乎对加密货币设备的需求高度?#35272;?#20110;各种加密货币的价格(其中最受欢迎的是比特币)。因此,最近比特币的价格暴跌(从今年1月份的每比特币超过15,000美元到9月份的不到7万美元),以及其他加密货币,正在降低对这些IC的需求。此外,由于台积电从一开?#23395;?#24847;识到加密货币市场将会波动,公司没有根据最近强大的加密货币需求调整其容量计划,也没有将加密货币业务假设纳入其对未来长期增长的预测中。

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      发表于 04-18 19:43 ? 8次 阅读
      BQ2057 用于具有 AutoCompTM 的一节应用的锂离子低压降线性(4.1V)充电管理 IC

      BQ2031 用户可选择充电算法的铅酸开关模式充电管理 IC

      信息描述 The bq2031 Lead-Acid Fast Charge IC is designed to optimize charging of lead-acid chemistry batteries. A flexible pulse-width modulation regulator allows the bq2031 to control constant-voltage, constant-current, or pulsed-current charging. The regulator frequency is set by an external capacitor for design flexibility. The switch-mode design keeps power dissipation to a minimum for high charge current applications. A charge cycle begins when power is applied or the battery is replaced. For safety, charging is inhibited until the battery voltage is within configured limits. If the battery voltage is less than the low-voltage threshold, the bq2031 provides trickle-currentcharging until the voltage rises into the allowed range or an internal timer runs out and places the bq2031 in a Fault condition. This procedure prevents high-current charging of cells that are possibly damaged or reversed. Charging is inhibited anytime the temperature of the battery is outsid...
      发表于 04-18 19:43 ? 0次 阅读
      BQ2031 用户可选择充电算法的铅酸开关模式充电管理 IC

      AD5325 2.5 V至5.5 V、500 μA、双线式接口、四通道、电压输出12位DAC,采用10引脚MICROSOIC封装

      信息优势和特点 4个12位DAC,采用10引脚MicroSOIC封装 低功?#27169;?00 μA (5 V),500 μA (3 V) 关断模式的功?#27169;?00 nA(5 V),80 nA(3 V) 通过设计保证单调性 上电?#27425;?#33267;0 V 三种关断功能 双缓冲输入逻辑 输出范围:0 V至VREF 双线式(I2C?兼容)串行接口 数据回读设置;软件清零设置 通过LDAC引脚(低电?#25509;行В?#21516;?#22791;?#26032;DAC输出 温度范围:-40 °C至105 °C产品详情AD5305/AD5315/AD5325分别是四通道8/10/12位、缓冲电压输出DAC,提供10引脚microSOIC封装,采用2.5 V至5.5 V单电源供电,3 V时功耗为500μA。这些器件内置片内输出放大器,能够提供轨到轨输出摆幅,压摆率为0.7 V/μs。所用的双线式串行接口能够以最高400 kHz时钟速率工作。当VDD <3.6 V?#20445;?#27492;接口为SMBus兼容。多个器件可以共用同一总线。产品特色 提供10引脚MicroSOIC封装 低功?#27169;?#37319;用2.5 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为1.5 mW,5 V时功耗为3 mW 轨到轨输出,压摆率为0.7 V/μs 多个器件可以共用同一总线 基准电压从电源获得 串行接口,时钟速率最高达400 kHz 与AD5305(8位)和AD5315(10位)引脚兼容、软件...
      发表于 04-18 19:31 ? 16次 阅读
      AD5325 2.5 V至5.5 V、500 μA、双线式接口、四通道、电压输出12位DAC,采用10引脚MICROSOIC封装

      AD5320 2.7 V至5.5 V、140 μA、轨到轨电压输出、12位DAC,采用SOT-23和MicroSOIC封装

      信息优势和特点 微功?#27169;?40 μA (5 V),115 μA (3 V) 关断模式的功?#27169;?00 nA (5 V),50 nA (3 V) 通过设计保证单调性 上电?#27425;?#33267;0 V 三种关断功能 SYNC(低电?#25509;行?中断设置 低功?#27169;琒PI?、QSPI?、MICROWIRE?、DSP兼容三线式串行接口 采用轨到轨方式工作的输出缓冲放大器 温度范围:-40°C至105°C 三种关断功能 产品详情AD5320是一款单通道、12位缓冲电压输出DAC,采用+2.7 V至+5.5 V单电源供电,3 V时功耗为115 μA。它内置片内精密输出放大器,能够实现轨到轨输出摆幅。AD5320采用多功能三线式串行接口,能够以最高30 MHz的时钟速率工作,并与标准SPI?、QSPI?、MICROWIRE?、DSP接口标?#25216;?#23481;。产品特色 提供6引脚SOT-23和8引脚MicroSOIC封装 低功?#27169;?#37319;用2.7 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为0.35 mW,5 V时功耗为0.7 mW 轨到轨输出,压摆率为1 V/μs 基准电压从电源获得 高速串行接口,时钟速率最高达30 MHz 与AD5300(8位)和AD5310(10位)引脚兼容、软件兼容电路图、引脚图和封装图...
      发表于 04-18 19:31 ? 23次 阅读
      AD5320 2.7 V至5.5 V、140 μA、轨到轨电压输出、12位DAC,采用SOT-23和MicroSOIC封装

      AD5553 14位DAC,采用μSOIC-8封装

      信息优势和特点 AD5553:14位分辨率 ±1 LSB DNL ±1 LSB INL 低噪声: 12 nV/√Hz 低功?#27169;?IDD = 10 μA 建立时间:0.5 μs 四象限乘法基准电压输入 满量程电流:2 mA ±20%,VREF = 10 V 内置RFB便于电压转换 三线式接口 超紧凑的MSOP-8和SOIC-8封装产品详情AD5543/AD5553分别是16/14位、低功耗、电流输出、小尺寸数模转换器(DAC),设计采用5 V单电源供电,并在±10 V乘法基准电压下工作。满量程输出电流由所施加的外部基准电压(VREF)决定。与外部运算放大器一起使用?#20445;?#20869;部反馈电阻(RFB)支持R-2R和温度跟踪,以便进行电压转换。串行数据接口利用串行数据输入(SDI)、时钟(CLK)和芯片选择(/CS)引脚,提供高速、三线式微控制器兼容型输入。AD5543/AD5553采用超紧凑(3 mm × 4.7 mm) MSOP-8和SOIC-8封装。应用 - 自动测试设备 - 仪器仪表 - 数字控制校准 - 工业控制PLC...
      发表于 04-18 19:12 ? 23次 阅读
      AD5553 14位DAC,采用μSOIC-8封装

      AD5543 16位DAC,采用μSOIC-8封装

      信息优势和特点 16位分辨率 ±1 LSB DNL ±1 LSB INL 低噪声: 12 nV/√Hz 低功?#27169;?IDD = 10 μA 建立时间:0.5 μs 四象限乘法基准电压输入 满量程电流:2 mA ±20%,VREF = 10 V 内置RFB便于电压转换 三线式接口 超紧凑的MSOP-8和SOIC-8封装AD5543-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准) 下载AD5543-EP数据手册(pdf) 军用温度范围(?55°C至+125°C) 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 ?#29616;?#25968;据可应要求提供 产品详情AD5543/AD5553分别是16/14位、低功耗、电流输出、小尺寸数模转换器(DAC),设计采用5 V单电源供电,并在±10 V乘法基准电压下工作。满量程输出电流由所施加的外部基准电压(VREF)决定。与外部运算放大器一起使用?#20445;?#20869;部反馈电阻(RFB)支持R-2R和温度跟踪,以便进行电压转换。串行数据接口利用串行数据输入(SDI)、时钟(CLK)和芯片选择 (/CS)引脚,提供高速、三线式微控制器兼容型输入。AD5543/AD5553采用超紧凑(3 mm × 4.7 mm) MSOP-8和SOIC-8封装。应用 - 自动测试设备 - 仪器仪表 - 数字控制校准 - 工业控制PLC...
      发表于 04-18 19:12 ? 30次 阅读
      AD5543 16位DAC,采用μSOIC-8封装

      AD5305 2.5 V至5.5 V、500μ A、双线式接口、四通道、电压输出8位DAC,采用10引脚MICROSOIC封装

      信息优势和特点 Four 8-Bit DACS in 10-Lead MicroSOIC Low Power: 600 μA @ 5 V, 500 μA @ 3 V Power-Down to 200 nA @ 5 V, 80nA @ 3 V Guaranteed Monotonic by Design Power-On-Reset to Zero Volts Three Power-Down Functions Double-Buffered Input Logic Output Range: O-VREF 2-Wire (I2C? Compatible) Serial Interface Data Readback Facility Software Clear Facility Simultaneous Update via LDAC bit (active low)产品详情AD5305/AD5315/AD5325是4通道8/10/12位、缓冲电压输出DAC,提供10引脚microSOIC封装,采用2.5 V至5.5 V单电源供电,3 V时功耗为500 μA。这些器件内置片内输出放大器,能够实现轨到轨输出摆幅,压摆率为0.7 V/μs。所用的双线式串行接口能够以最高400 kHz时钟速率工作。该接口在VDD产品聚焦-提供10引脚MicroSOIC封装-低功?#27169;?#37319;用2.5 V至5.5 V单电源供电-3 V时功耗为1.5 mW,5 V时功耗为3 mW -轨到轨输出,压摆率为0.7 V/μs -多个器件可以共用同一总线-串行接口,时钟速率最高达400 kHz-与AD5315 (10位)和AD5325 (12位...
      发表于 04-18 19:11 ? 22次 阅读
      AD5305 2.5 V至5.5 V、500μ A、双线式接口、四通道、电压输出8位DAC,采用10引脚MICROSOIC封装

      AD5300 2.7 V至5.5 V、140 μA、轨到轨电压输出、8位DAC,采用SOT-23和MicroSOIC封装

      信息优势和特点 微功耗:140 μA (5 V),115 μA (3 V) 省电模式:200 nA (5 V),50 nA (3 V) 通过设计保证单调性 上电?#27425;?#33267;0 V 低功?#27169;琒PI?、QSPI?、MICROWIRE?、DSP兼容三线式串行接口 三种省电功能 采用轨到轨方式工作的输出缓冲放大器 SYNC(低电?#25509;行?中断设置 温度范围:-40°C至105°C产品详情AD5300是一款单通道、8位缓冲电压输出DAC,采用2.7 V至5.5 V单电源供电,3 V时功耗为115 μA。它内置片内精密输出放大器,能够实现轨到轨输出摆幅。AD5300采用多功能三线式串行接口,能够以最高30 MHz的时钟速率工作,并与标准SPI?、QSPI?、MICROWIRE?、DSP接口标?#25216;?#23481;。 产品聚焦 提供6引脚SOT-23和8引脚MicroSOIC封装 低功?#27169;?#37319;用2.7 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为0.35 mW,5 V时功耗为0.7 mW 轨到轨输出,压摆率为1 V/μs 基准电压从电源获得 高速串行接口,时钟速率最高达30 MHz 与AD5300(8位)和AD5320(12位)引脚兼容、软件兼容AD5300的基准电压从电源输入获得,因此它具有最宽的动态输出范围。该器件内置一个上电?#27425;?#30005;路,确保DAC输出上电至0 V并保持该电...
      发表于 04-18 19:11 ? 16次 阅读
      AD5300 2.7 V至5.5 V、140 μA、轨到轨电压输出、8位DAC,采用SOT-23和MicroSOIC封装

      AD5302 2.5 V至5.5 V、230 μA、双通道、轨到轨电压输出、8位DAC,采用10引脚MICROSOIC封装

      信息优势和特点 一个封装中集成两个8位DAC 微功耗:300 μA(5 V,包括基准电流) 省电模式:200 nA (5 V),50 nA (3 V) 通过设计保证单调性 上电?#27425;?#33267;0 V 可选缓冲/无缓冲基准电压输入 输出电压:0-VREF 低功?#27169;琒PI?、QSPI?、MICROWIRE?、DSP兼容三线式串行接口 采用轨到轨方式工作的输出缓冲放大器,通过LDAC引脚(低电?#25509;行?同?#22791;?#26032;DAC输出 温度范围:-40°C至105°C 三种关断功能产品详情AD5302/AD5312/AD5322分别是双通道8/10/12位、缓冲电压输出DAC,提供10引脚mSOIC封装,采用+2.5 V至+5.5 V单电源供电,3 V时功耗为230 mA。这些器件内置片内输出放大器,能够提供轨到轨输出摆幅,压摆率为0.7 V/ms。AD5302/AD5312/AD5322采用多功能三线式串行接口,能够以最高30 MHz的时钟速率工作,并与标准SPI?、QSPI?、MICROWIRE?、DSP接口标?#25216;?#23481;。产品特色 提供10引脚MicroSOIC封装 低功?#27169;?#37319;用2.5 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为0.7 mW,5 V时功耗为1.5 mW 微分非线性误差(DNL)小于0.25 LSB 轨到轨输出,压摆率为0.7 V/μs 采用多功能三线式串行接口,...
      发表于 04-18 19:11 ? 257次 阅读
      AD5302 2.5 V至5.5 V、230 μA、双通道、轨到轨电压输出、8位DAC,采用10引脚MICROSOIC封装

      BQ27010 单节锂电池和锂聚合物电池电量监测计 IC

      信息描述The bqJUNIOR? series are highly accurate stand-alone single-cell Li-Ion and Li-Pol battery capacity monitoring and reporting devices targeted at space-limited, portable applications. The IC monitors a voltage drop across a small current sense resistor connected in series with the battery to determine charge and discharge activity of the battery. Compensations for battery age, temperature, self-discharge, and discharge rate are applied to the capacity measurments to provide available time-to-emptyinformation across a wide range of operating conditions. Battery capacity is automatically recalibrated, or learned, in the course of a discharge cycle from full to empty. Internal registers include current, capacity, time-to-empty, state-of-charge, cell temperature and voltage, status, and more.The bqJUNIOR can operate directly from single-cell Li-Ion and Li-Pol batteries and communicates to the system over a HDQ one-wire or I2C serial interface.特...
      发表于 04-18 19:10 ? 18次 阅读
      BQ27010 单节锂电池和锂聚合物电池电量监测计 IC

      TCP-5082UB 无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC),8.2 pF

      信息安森美半导体的PTIC具有出色的射频性能和功?#27169;?#36866;用于任何手机或无线电应用。我们PTIC产品系列的基本构建模块是一种名为ParaScan?的可调材料,基于钛酸?#32570;擔˙ST)。 PTIC能够通过控制IC产生的偏置电压改变其电容。 8.2 pF超高调谐PTIC可用作晶圆级芯片级封装(WLCSP)。 超高调谐范围(5:1)和高达24 V的工作 可用频率范围:700 MHz至2.7 GHz ?#25512;分?#22240;数(Q)损耗 高功率处理能力 与安森美半导体的PTIC控制IC兼容 这些器件无铅且符合RoHS标准...
      发表于 04-18 19:07 ? 0次 阅读
      TCP-5082UB 无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC),8.2 pF

      TCP-5027UB 无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC),2.7 pF

      信息安森美半导体的PTIC具有出色的射频性能和功?#27169;?#36866;用于任何手机或无线应用。我们的PTIC产品系列的基本构建模块是一种名为ParaScan?的可调材料,基于BariumStrontium Titanate(BST)。 PTIC能够从控制IC产生的偏置电压改变其电容。 2.7 pF超高调谐PTIC可用作晶圆级芯片级封装(WLCSP)。 超高调谐范围(5:1)和高达24 V的工作 可用频率范围:700 MHz至2.7 GHz 低损耗的高?#20998;?#22240;数(Q)< / li> 高功率处理能力 与安森美半导体的PTIC控制IC TCC兼容 这些器件无铅且符合RoHS标准...
      发表于 04-18 19:07 ? 6次 阅读
      TCP-5027UB 无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC),2.7 pF

      TCP-5018UB 无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC),1.8 pF

      信息安森美半导体的PTIC具有出色的射频性能和功?#27169;?#36866;用于任何手机或无线应用。我们的PTIC产品系列的基本构建模块是一种名为ParaScan?的可调材料,基于BariumStrontium Titanate(BST)。 PTIC能够从控制IC产生的偏置电压改变其电容。 1.8 pF超高调谐PTIC可用作晶圆级芯片级封装(WLCSP)。 超高调谐范围(5:1)和高达24 V的工作 可用频率范围:700 MHz至2.7 GHz 低损耗的高?#20998;?#22240;数(Q)< / li> 高功率处理能力 与安森美半导体的PTIC控制IC TCC兼容 这些器件无铅且符合RoHS标准...
      发表于 04-18 19:07 ? 6次 阅读
      TCP-5018UB 无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC),1.8 pF

      TCP-5033UB 无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC),3.3 pF

      信息安森美半导体的PTIC具有出色的射频性能和功?#27169;?#36866;用于任何手机或无线应用。我们的PTIC产品系列的基本构建模块是一种名为ParaScan?的可调材料,基于BariumStrontium Titanate(BST)。 PTIC能够从控制IC产生的偏置电压改变其电容。 3.3 pF超高调谐PTIC可用作晶圆级芯片级封装(WLCSP)。 超高调谐范围(5:1)和高达24 V的工作 可用频率范围:700 MHz至2.7 GHz 低损耗的高?#20998;?#22240;数(Q)< / li> 高功率处理能力 与安森美半导体的PTIC控制IC兼容 这些器件无铅且符合RoHS标准 < / DIV>...
      发表于 04-18 19:07 ? 10次 阅读
      TCP-5033UB 无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC),3.3 pF

      TCP-5012UB 无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC),1.2 pF

      信息安森美半导体的PTIC具有出色的射频性能和功?#27169;?#36866;用于任何手机或无线应用。我们的PTIC产品系列的基本构建模块是一种名为ParaScan?的可调材料,基于BariumStrontium Titanate(BST)。 PTIC能够从控制IC产生的偏置电压改变其电容。 1.2 pF超高调谐PTIC可作为晶圆级芯片级封装(WLCSP)。 超高调谐范围(5:1)和高达24 V的工作 可用频率范围:700 MHz至2.7 GHz 低损耗的高?#20998;?#22240;数(Q)< / li> 高功率处理能力 与安森美半导体的PTIC控制IC兼容 这些器件无铅且符合RoHS标准 < / DIV>...
      发表于 04-18 19:07 ? 6次 阅读
      TCP-5012UB 无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC),1.2 pF

      TCC-303 PTIC控制器,三输出

      信息 TCC-303是一款三输出高压数模转换控制IC,专门用于控制?#25512;?#32622;安森美半导体的无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC)。这些PTIC控制器适用于移动电话和专用RF调谐应用。安森美半导体在移动电话中的可调谐电路的实施可以显着改善天线辐射性能。 PTIC控制器通过1 V至24 V的偏置电压进行控制.TCC-303高压PTIC控制器具有专为满足这一需求而设计,提供三个独立的高压输出,可并行控制多达三个不同的可调谐PTIC。该设备通过MIPI RFFE数字接口完全控制。 控制安森美半导体的PTIC可调谐电容器 符合蜂窝和其他无线系统要求的时间要求 28具有三个24 V可编程DAC输出的V集成升压转换器 低功耗 MIPI RFFE接口(1.8 V) 可用于WLCSP(RDL球阵列) 符合MIPI 26 MHz回读 电路图、引脚图和封装图...
      发表于 04-18 19:07 ? 24次 阅读
      TCC-303 PTIC控制器,三输出

      TCC-226 PTIC控制器,六输出

      信息 TCC-226是一款六输出高压数模转换控制IC,专门用于控制?#25512;?#32622;安森美半导体的PassiveTunable集成电路(PTIC)。 这些PTIC控制器适用于移动电话和专用RF调谐应用。安森美半导体在移动电话中可调谐电路的实现可以显着改善天线辐射性能。 PTIC控制器通过1 V至24 V的偏置电压进行控制.TCC-226高压PTIC控制器专为满足这一需求而设计,提供六个独立的高压输出,可控制多达六个不同的可调PTIC平行。该器件通过多协议数字接口完全控制。 控制安森美半导体的PTIC可调谐电容器 构成完整RF调谐解决方案的一部分 符合时序要求蜂窝和其他无线系统要求 具有6个可编程DAC输出(高达24 V)的集成升压转换器 低功耗 SPI的自动检测( 30位或32位)或MIPI RFFE接口(1.8 V) WLCSP(RDL球阵列)提供 符合MIPI 26 MHz回读 足迹与TCC-303兼容 电路图、引脚图和封装图...
      发表于 04-18 19:07 ? 30次 阅读
      TCC-226 PTIC控制器,六输出

      TCC-206 无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC)控制器,六输出

      信息 TCC-206是一款六输出高压数模转换控制IC,专门用于控制?#25512;?#32622;安森美半导体的无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC)。电容电?#20998;?#22312;用于移动电话和专用RF调谐应用。在移动电话中实现安森美半导体可调谐电路可以显着改?#21697;?#23556;天线性能。可调谐电容器通过2 V至24 V的偏置电压进行控制.TCC-206高压PTIC控制IC专门针对旨在满足这一需求,提供六个独立的高压输出,可并行控制多达六个不同的可调谐PTIC。该设备通过多协议数字接口完全控制。 控制ON半导体PTIC可调谐电容器 符合蜂窝和其他无线系统要求的时间要求 具有六个可编程输出(高达24 V)的集成升压转换器 低功耗 SPI(30或32位)或1.8 V MIPI RFFE接口的自动检测 适用于WLCSP封装(RDL球阵列) 符合MIPI 26 MHz回读 电路图、引脚图和封装图...
      发表于 04-18 19:07 ? 34次 阅读
      TCC-206 无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC)控制器,六输出

      TCC-103 无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC)控制器,三输出

      信息 TCC-103是一款三输出高压数模转换控制IC,专门用于控制?#25512;?#32622;安森美半导体的无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC)。这些可调电容电?#20998;?#22312;用于移动电话和专用RF调谐应用。安森美半导体在移动电话中实现可调谐电路可以显着改善天线辐射性能。可调谐电容器通过2 V至20 V的偏置电压进行控制.TCC-103高压PTIC控制IC专门设计用于满足这一需求,提供三个独立的高压输出,可并行控制多达三个不同的可调谐PTIC。该器件通过多协议数字接口完全控制。 控制ON半导体PTIC可调谐电容器和RF调谐器 符合蜂窝和其他无线系统的时序要求 具有三个可编程输出(高达24 V)的集成升压转换器 低功耗 SPI(30或32位)或MIPI RFFE的自动检测接口(1.2 V或1.8 V) 可用于WLCSP(球形和外围阵列)以及独立或模块集成...
      发表于 04-18 19:07 ? 34次 阅读
      TCC-103 无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC)控制器,三输出

      TCC-202 无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC)控制器,双输出

      信息 TCC-202是一款双输出高压数模转换控制IC,专门用于控制?#25512;?#32622;安森美半导体的无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC)。这些可调电容电?#20998;?#22312;用于移动电话和专用RF调谐应用。在移动电话中实现安森美半导体可调谐电路可以显着改善天线辐射性能。可调谐电容器通过2 V至24 V的偏置电压进行控制.TCC-202高压PTIC控制IC专门针对旨在满足这一需求,提供两个独立的高压输出,可并行控制多达两个不同的可调谐PTIC。该设备通过符合MIPI标准的接口完全控制。 控制ON Semiconductor PTIC可调谐电容 符合蜂窝和其他无线系统要求的时间要求 具有两个可编程DAC输出(高达24V)的集成升压转换器 低功耗 采用WLCSP封装(RDL球阵列) MIPI-RFFE接口 符合MIPI 26 MHz回读 电路图、引脚图和封装图...
      发表于 04-18 19:07 ? 30次 阅读
      TCC-202 无?#32431;?#35843;谐集成电路(PTIC)控制器,双输出

      FinFET(鳍型MOSFET)简介

      1、半导体的工艺尺寸 在我们谈到半导体工艺尺寸的时候,通常对于下面的一串数字耳熟能详:3um、2um、1.5um、1um、0.8um、0.5um、...
      发表于 01-06 14:46 ? 4095次 阅读
      FinFET(鳍型MOSFET)简介

      论工艺制程,Intel VS台积电谁会赢?

        SRAM,即静态随机存取存储器,比我们常见的DRAM(动态随机存取存储器)更快,常用于CPU缓存等,也是研发测试新...
      发表于 01-25 09:38 ? 6976次 阅读
      论工艺制程,Intel VS台积电谁会赢?

      分析师对IC市场前景预测不同 但都看好中国

        对于2016年半导体产业营收预测以及市场的长期动力,各家分析师有非常不同的看法;他们在一场于美国举行的晶片业高层年度聚会...
      发表于 01-14 14:51 ? 2334次 阅读
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      各类常用工艺库台积电,中芯国际,华润上华

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      发表于 12-17 19:52 ? 9450次 阅读
      各类常用工艺库台积电,中芯国际,华润上华

      [转]台积电借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特尔?#36824;?/a>

      转自http://www.eet-china.com/ART_8800697889_480201_NT_08124b24.HTM 台积电借16nm FinFET Plus及InFO WL...
      发表于 05-07 15:30 ? 2656次 阅读
      [转]台积电借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特尔?#36824;? />    </a>
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      渔翁先生

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